Wiceprezes ds. sprzedaży i promocji Samsung Electronics Chol Choi zapowiedział, że „smartfony nowej generacji będą odgrywać kluczową rolę w zapewnieniu bardziej wygodnego interfejsu użytkownika.”. Koreański gigant chce w tym celu wprowadzić do produkcji nowe rodzaje układów pamięci UFS o rekordowej pojemności.

Fani produktów Samsung mogą mieć nadzieję, że długo oczekiwany flagowiec Galaxy S10 otrzyma pamięć flash eUFS z rekordową ilością pamięci, który pod tym względem zrówna telefon z wieloma laptopami i komputerami stacjonarnymi. Firma pokazała pierwszy układ pamięci flash 1 TB zapewniający szybkość odczytu danych do 1000 MB/s i zapisu na poziomie 260 MB/s. W przypadku odczytu daje to większą prędkość nawet w porównaniu z konwencjonalnymi dyskami SSD SATA.  Nowy układ Samsunga składa się z 16 warstw pamięci V-NAND 512 Gbit co daje łącznie 1024 GB na dane. Cena nowych układów eUFS i data rozpoczęcia sprzedaży pierwszych urządzeń mobilnych z taką pamięcią jeszcze nie są znane.