• Samsung testuje pierwszą w branży kartę pamięci microSD Express o pojemności 256 GB, ponad czterokrotnie szybszą od dotychczas istniejących modeli
  • Karta microSD UHS-1 firmy Samsung o pojemności 1 TB oparta na najnowszej technologii V-NAND już w masowej produkcji

Samsung Electronics, światowy lider w dziedzinie zaawansowanej technologii pamięci, ogłosił dzisiaj rozpoczęcie dystrybucji pierwszych egzemplarzy najnowszej karty microSD Express o pojemności 256 GB. Oferują one prędkość odczytu sekwencyjnego do 800 MB/s. Firma poinformowała również o rozpoczęciu masowej produkcji karty microSD UHS-1 o pojemności 1 TB. Poprzez wprowadzenie nowej generacji kart microSD, Samsung ma na celu zaspokojenie różnorodnych potrzeb, które pojawią się w zastosowaniach mobilnych oraz w urządzeniach wykorzystujących sztuczną inteligencję (AI).

 

„Z dwoma nowymi kartami microSD, Samsung oferuje efektywne rozwiązania, odpowiadające na rosnące wymagania komputerów mobilnych i urządzeń wykorzystujących AI” – powiedział Hangu Sohn, Vice President of the Memory Brand Product Biz Team w Samsung Electronics. – „Pomimo niewielkich rozmiarów, karty te zapewniają wydajność i pojemność porównywalną z dyskami SSD, co umożliwia użytkownikom pełne wykorzystanie zarówno obecnych, jak i nadchodzących aplikacji” – dodał Hangu Sohn.

SD Express microSD Card 2

Pierwsza w branży karta microSD Express oferująca maksymalną prędkość 800 MB/s

Samsung, jako pierwszy w branży, wprowadził innowacyjną kartę microSD opartą na interfejsie SD Express. Jej opracowanie było możliwe dzięki współpracy z partnerami w celu stworzenia niestandardowego rozwiązania.

Karta microSD Express charakteryzuje się niskim poborem energii oraz zastosowaniem zaawansowanej technologii oprogramowania sprzętowego. Ów software zaprojektowany został z myślą o maksymalizacji wydajności i efektywnym zarządzaniu temperaturą. Dzięki tym innowacjom wydajność karty jest porównywalna z osiągami kompaktowych dysków SSD. W tradycyjnych kartach microSD z interfejsem UHS-1 prędkość odczytu była ograniczona do 104 MB/s. Dzięki wykorzystaniu wariantu SD Express znacząco zwiększono ją do 985 MB/s, choć wcześniej zastosowanie tego rozwiązania na skalę komercyjną nie było możliwe.

Karty microSD Express oferują sekwencyjną prędkość odczytu do 800 MB/s – to 1,4 razy szybciej niż w dyskach SSD SATA (do 560 MB/s) i ponad cztery razy szybciej w porównaniu z tradycyjnymi kartami pamięci UHS-1 (do 200 MB /s). Taka prędkość gwarantuje płynniejszą pracę aplikacji na komputerach i urządzeniach mobilnych. W celu zapewnienia stabilnej wydajności, nawet podczas intensywnego użytkowania, zastosowano technologię Dynamic Thermal Guard (DTG), która utrzymuje optymalną temperaturę karty microSD Express.

 

Karta microSD UHS-1 1 TB (terabajt) z najnowocześniejszą pamięcią V-NAND 1 Tb (terabit)

Nowa karta Samsung microSD o pojemności 1 TB wykorzystuje osiem warstw autorskiej pamięci V-NAND 1-terabita (Tb) ósmej generacji. Ta zmiana umożliwiła stworzenie karty microSD o dużej pojemności, dotąd spotykanej wyłącznie w dyskach SSD. Nowa karta microSD 1 TB przeszła rygorystyczne testy branżowe, potwierdzając swoją efektywność nawet w trudnych warunkach. Dzięki takim cechom jak hermetyczność, odporność na ekstremalne temperatury i upadki, a także ochrona przed zużyciem oraz promieniowaniem rentgenowskim i polami magnetycznymi, karta ta stanowi połączenie technologicznego zaawansowania i wytrzymałości.

 

Dostępność

Karta microSD Express 256 GB zostanie wprowadzona do w sprzedaży jeszcze w tym roku, a premiera karty microSD UHS-1 o pojemności 1 TB nastąpi w pierwszej połowie tego roku.