Firma Samsung Electronics ogłosiła rozpoczęcie masowej produkcji pierwszego w branży zintegrowanego, uniwersalnego układu pamięci flash eUFS 3.1 o pojemności 512 GB, przeznaczonego dla flagowych smartfonów.

Prędkość zapisu eUFS 3.1 wynosi ponad 1 GB na sekundę — jest to o trzy razy więcej niż w przypadku poprzedniej generacji pamięci eUFS 3.0 o pojemności 512 GB. Pod koniec 2020 roku Samsung wyda także nośniki o pojemnościach 256 GB i 128 GB.

Samsung eUFS 3.1 o pojemności 512 GB osiąga prędkość zapisu sekwencyjnego 1200 MB/s – czyli ponad dwukrotnie wyższą niż w przypadku komputerów ze zwykłym dyskiej SATA (540 MB/c) i ponad 10-krotnie wyższą niż karta microSD UHS-I (90 MB/s). Oznacza to, że dostęp do bardzo dużych plików, takich jak filmy 8K lub zdjęcia w wysokiej rozdzielczości, odbywa się z taką samą prędkością, jak na nowoczesnym komputerze z dyskami NVM.

Przeniesienie danych ze starego smartfona na nowe urządzenie również zajmie znacznie mniej czasu: urządzeniu z pamięcią eUFS 3.1 będzie wystarczyło tylko 1,5 minuty na skopiowanie 100 GB danych, podczas gdy telefon oparty na UFS 3.0 będzie potrzebował na to więcej niż cztery minuty.

Wydajność losowego odczytu i zapisu modelu eUFS 3.1 512 GB jest o 60% wyższe niż w przypadku  dysków UFS 3.0 i wynosi 100 000 operacji na sekundę (IOPS) dla odczytu i 70 000 IOPS dla zapisu.

W marcu Samsung rozpoczął masową produkcję V-NAND piątej generacji, aby w pełni zaspokoić popyt na tego typu komponenty na flagowym rynku smartfonów. Wkrótce firma planuje również przenieść produkcję V-NAND z piątej generacji na szóstą, aby sprostać rosnącym potrzebom producentów.

 

2020 03 17 image 3