Firma Western Digital Corp. poinformowała o opracowaniu 5. generacji swoich pamięci 3D NAND – BiCS5. Moduły BiCS5 – zbudowane w oparciu o technologie TLC (Triple-level-cell) oraz QLC (quad-level-cell) – charakteryzują się wyjątkową pojemnością, wydajnością oraz niezawodnością, i to przy zachowaniu atrakcyjnej ceny. Dzięki temu są  rozwiązaniem do zastosowań związanych z zapewnieniem sprawnej obsługi rosnących ilości danych np. w urządzeniach mobilnych, technologiach z dziedziny sztucznej inteligencji czy stale komunikujących się z siecią pojazdach.

 

Western Digital rozpoczął wstępną produkcję pamięci BiCS5 TLC w postaci modułu 512 Gb i oferuje już produkty bazujące na nowej technologii. Produkcja nowych modułów w dużych ilościach powinna wystartować w drugiej połowie roku 2020 – wtedy też pamięci BiCS5 TLC oraz BiCS5 QLC dostępne będą w wielu wariantach pojemnościowych, w tym 1.33 Tb.

 

“Na początku nowej dekady krytyczną kwestią stało się skalowanie 3D NAND z myślą o spełnieniu rosnących potrzeb użytkowników w dziedzinie przechowywania i szybkiego zapisu danych. Udane rozpoczęcie produkcji pamięci BiCS5 jest dowodem na to, że Western Digital pozostaje liderem rynku pamięci flash i że firma konsekwentnie realizuje swoje plany. Wykorzystując najnowsze rozwiązania w dziedzinie naszej technologii multi-tier memory hole w celu zwiększenia gęstości zapisu oraz dodania kolejnych jego warstw, udało nam się przeprowadzić skuteczne skalowanie zarówno pojemności, jak i wydajności technologii – jednocześnie zapewniając klientom oczekiwaną przez nich niezawodność oraz rozsądną cenę” – powiedział Dr. Steve Paak, senior vice president of memory technology and manufacturing w Western Digital.

 

Produkowana z wykorzystaniem całej gamy nowych technologii i innowacyjnych rozwiązań BiCS5 jest najbardziej zaawansowaną i oferującą najwyższą gęstość zapisu technologią 3D NAND firmy Western Digital. Zastosowanie technologii multi-tier memory hole drugiej generacji, usprawniony proces produkcji i inne innowacje w zakresie komórek 3D NAND pozwoliło na znaczne zwiększenie gęstości macierzy komórek na waflu krzemowym. Te innowacje, w połączeniu z zastosowaniem 112 warstw, pozwalają pamięciom BiCS5 oferować do 40 procent* więcej pojemności w stosunku do 96-warstowej technologii

BiCS4 Western Digital, przy jednoczesnej optymalizacji kosztów. Nowa architektura pozwoliła również na zwiększenie wydajności – dzięki temu pamięci BiCS5 będą w stanie zaoferować o 50% większą wydajność operacji I/O (w porównaniu z BiCS4*).*

Technologia BiCS5 została opracowana wspólnie z partnerem technologicznym i produkcyjnym – firmą Kioxia Corporation. Nowe pamięci będą produkowane w zakładach prowadzonych wspólnie (w ramach joint venture) przez obu partnerów, zlokalizowanych w japońskich miastach Yokkaichi (prefektura Mie) oraz Kitakami City (prefektura Iwate).

Technologia BiCS5 uzupełnia pełne portfolio rozwiązań 3D NAND Western Digital, stworzonych z myślą o zastosowaniu w przetwarzających ogromne ilości danych osobistych urządzeniach elektronicznych, smartfonach, urządzeniach Internetu Rzeczy oraz centrach danych.